消息称三星曾计划在美国建10nm制程DRAM内存厂

钛媒体App 4月17日消息,据报道,三星电子曾考虑在美国泰勒建设一座10nm先进制程的DRAM内存厂,相关商讨一直持续到了协议签署前的最后一刻。美国为该内存厂建设计划提供了优厚条件,三星也对此十分积极,但由于在美国建设先进内存厂在技术上较为困难,成本也较高,且韩国政府表达了反对意见,最终三星电子转而选择在美建设先进封装工厂。

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